在智慧型手機的無線電路中，包含LNA、混頻器、PLL等的收發器多半整合在CMOS晶片上，而發射用的PA則多半使用GaAs HBT等化合物半導體。其主要理由，下列何者最適當？

正確答案：B. 微縮的CMOS電晶體崩潰電壓低，不易有效率地取出大的輸出功率，而GaAs HBT在崩潰電壓以及高頻下的輸出與效率方面較優

微縮的CMOS能便宜地整合大量電晶體，也能處理GHz頻段的訊號，因此適合把LNA、混頻器、PLL，甚至基頻處理整合在單一晶片上。另一方面，PA需要以高效率與線性度輸出數百mW左右的功率，崩潰電壓低的微縮CMOS不易加大電壓擺幅，在效率與輸出上較不利。因此，智慧型手機的PA多使用GaAs HBT，基地台這類高輸出的PA則多使用在崩潰電壓與散熱方面更優異的GaN HEMT。化合物半導體的晶圓一般比矽小且昂貴，因此只用在需要的部分。

• A. CMOS也能處理GHz頻段的訊號，大部分的收發器是以CMOS製作。
• B. 正確。在崩潰電壓、輸出與效率方面，化合物半導體對PA較有利。
• C. 化合物半導體的晶圓一般比矽小且昂貴，在費用方面是矽較有利。