什麼是寫穿(Write-through)

寫入快取的同時，也寫入下層(主記憶體等)的方式。下層始終保持最新，但寫入的通訊量多，因此與寫入緩衝區組合使用。

日文名稱: ライトスルー方式

「寫穿(Write-through)」出現在1領域的1道練習題中（SRAM與快閃記憶體等）。

這個名詞所屬的領域: 記憶體階層與效能

練習寫穿(Write-through)的題目

SLC 型 NAND 快閃記憶體的可改寫次數標準，最接近下列何者？

  1. A約 100 次
  2. B約 10 萬次
  3. C約 1 億次
查看答案與解析

正確答案：B. 約 10 萬次

SLC 的可改寫次數標準約為 5 萬～10 萬次，MLC 為數千～1 萬次，TLC 為數千次，QLC 約 1000 次，位元數越多次數越少。限制的主要原因，是每次改寫穿隧氧化膜都會一點一點劣化。SSD 的壽命以 TBW（總寫入量）或 DWPD（一天可寫滿整個容量幾次）表示，並藉由損耗平均與預留空間來延長。

解析中的「寫穿(Write-through)」

出現「寫穿(Write-through)」的題目（1題）

  1. SLC 型 NAND 快閃記憶體的可改寫次數標準，最接近下列何者？

出現這個名詞的比較

相關名詞

SLC(單階儲存單元) TLC(三階儲存單元) 損耗平均 失誤懲罰 平均記憶體存取時間(AMAT) 全相聯快取 快取行 直接映射快取 空間局部性 非阻塞快取

前往名詞解釋列表