SRAM與快閃記憶體
近年 3D NAND 的堆疊層數,最接近下列何者?
- A數層
- B數十層
- C200 層以上
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正確答案:C. 200 層以上
3D NAND 在 2013 年前後以 24 層起步,每一世代都增加堆疊層數。近年已量產超過 200 層的產品,也出現了 300 層以上的產品。堆疊層數越多,要在深達數 µm 的孔洞中上下打出相同孔徑的加工就越困難,因此採用將堆疊分成兩次以上打孔再連接的方式(串堆疊)。也在持續研究把各層做薄以壓低整體高度的做法。
SRAM與快閃記憶體
正確答案:C. 200 層以上
3D NAND 在 2013 年前後以 24 層起步,每一世代都增加堆疊層數。近年已量產超過 200 層的產品,也出現了 300 層以上的產品。堆疊層數越多,要在深達數 µm 的孔洞中上下打出相同孔徑的加工就越困難,因此採用將堆疊分成兩次以上打孔再連接的方式(串堆疊)。也在持續研究把各層做薄以壓低整體高度的做法。