MOSFET

MOSFET中「MOS」所表示的結構,下列何者正確?

  1. A金屬(Metal)-氧化膜(Oxide)-半導體(Semiconductor)
  2. B多數載子(Majority)-少數載子(Minority)-基板(Substrate)
  3. C記憶體(Memory)-輸出(Output)-訊號(Signal)
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正確答案:A. 金屬(Metal)-氧化膜(Oxide)-半導體(Semiconductor)

MOS是Metal-Oxide-Semiconductor的縮寫,表示由閘極電極(金屬)、閘極絕緣膜(氧化膜)、半導體基板堆疊而成的結構。1970年代以後閘極電極使用多晶矽,自45 nm世代起又改回金屬,絕緣膜也改用HfO2等High-k材料,但名稱仍沿用。為強調絕緣閘極,有時也稱為MISFET(Metal-Insulator-Semiconductor)。

  • A. 正確。是金屬-氧化膜-半導體的堆疊結構。
  • B. 並不是表示載子種類的縮寫。
  • C. 並不是表示電路功能的縮寫。
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