차세대 메모리

상변화 메모리(PCM)에서 셀을 고저항의 비정질 상태로 만드는(리셋하는) 방법으로 올바른 것은 무엇입니까?

  1. A자기장을 걸어 자화를 반전시킨다
  2. B큰 전류 펄스로 융점 이상으로 가열한 뒤 급랭한다
  3. C결정화 온도 부근에서 장시간 유지한다
정답과 해설 보기

정답: B. 큰 전류 펄스로 융점 이상으로 가열한 뒤 급랭한다

리셋에서는 큰 전류 펄스(수십~수백 ns)로 재료를 융점(GST는 약 600 ℃) 이상으로 가열해 녹이고, 수 ns 이내에 급랭함으로써 원자가 배열될 틈을 주지 않고 비정질 상태로 만듭니다. 반대로 셋에서는 결정화 온도 이상, 융점 미만에서 일정 시간 유지하여 결정화시킵니다. 리셋 전류가 크다는 점이 PCM의 소비 전력 측면의 과제이며, 가열하는 부피를 작게 하는 구조로 줄이고 있습니다.

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