Zone de déplétion et polarisation inverse d'une jonction PN
Lorsqu'on met en contact des semi-conducteurs de type p et de type n, les électrons et les trous diffusent à travers la frontière et se recombinent, laissant une zone de déplétion où ne restent que les donneurs et accepteurs ionisés. La charge de ces ions crée une différence de potentiel, le potentiel de diffusion, qui empêche toute diffusion supplémentaire des porteurs.
Une polarisation inverse augmente la différence de potentiel aux bornes de la jonction, et la zone de déplétion s'élargit. Sa largeur est proportionnelle à la racine carrée de (potentiel de diffusion + tension inverse) et, comme les charges ioniques des deux côtés doivent s'équilibrer, elle s'étend surtout du côté le moins dopé. La zone de déplétion se comporte comme un condensateur chargé de part et d'autre : plus elle est large, plus la capacité de jonction est faible.
À essayer : polarisation inverse et largeur de la zone de déplétion
Modifiez la tension inverse avec le curseur : la largeur de la zone de déplétion suit la formule. Conditions : Si, côté p NA = 10¹⁷ cm⁻³, côté n ND = 10¹⁶ cm⁻³, 300 K (valeurs par défaut du calculateur de jonction PN) ; les longueurs horizontales sont à l'échelle.