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PN 접합의 공핍층과 역방향 바이어스

PN 접합의 공핍층과 역방향 바이어스 전자 정공 바이어스 없음 −,+,−,+ ,,, ,,,, p형 n형 공핍층 역방향 바이어스를 키웠을 때 −,+,−,+,−,+,−,+,−,+,−,+ ,, ,,, p형 n형 공핍층이 넓어짐

p형과 n형 반도체를 접합하면 경계 부근에서 전자와 정공이 확산해 재결합하고, 이온화된 도너와 억셉터만 남은 공핍층이 생깁니다. 공핍층 안의 이온 전하가 만드는 전위차가 내장 전위이며, 이것이 캐리어가 더 이상 확산하지 못하도록 막습니다.

역방향 바이어스를 걸면 접합의 전위차가 커져 공핍층이 넓어집니다. 폭은 (내장 전위 + 역방향 바이어스 전압)의 제곱근에 비례하며, 양쪽 이온 전하가 같아지도록 농도가 낮은 쪽으로 크게 넓어집니다. 공핍층은 양쪽에 전하를 가진 커패시터처럼 동작하므로, 폭이 넓어질수록 접합 용량은 작아집니다.

관련 계산 도구

PN 접합의 내장 전위와 공핍층 폭도핑 농도와 역방향 바이어스로 PN 접합의 내장 전위, 공핍층 폭, 최대 전계, 접합 용량 계산진성 캐리어 밀도의 온도 의존성Si·Ge·GaAs의 진성 캐리어 밀도 ni를 온도로 계산. 불순물 농도를 넣으면 진성화 온도도 확인

나오는 문제

  1. PN 접합에 가하는 역방향 바이어스 전압을 크게 하면 공핍층의 폭은 어떻게 됩니까?

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