SRAM과 플래시 메모리
최근의 첨단 공정에서 로직 회로에 비해 SRAM 셀의 면적이 줄어들기 어려워진 이유로 가장 적절한 것은?
- A트랜지스터 특성의 편차에 영향을 받기 쉬워, 안정적인 읽기·쓰기를 위한 여유를 확보하기 어렵기 때문
- BSRAM에는 트랜지스터가 사용되지 않기 때문
- CSRAM에는 큰 커패시터가 필요하기 때문
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정답: A. 트랜지스터 특성의 편차에 영향을 받기 쉬워, 안정적인 읽기·쓰기를 위한 여유를 확보하기 어렵기 때문
SRAM 셀은 최소 치수에 가까운 트랜지스터 6개의 구동력 균형으로 안정성을 유지하고 있습니다. 미세화하면 도펀트 수의 요동 등에 의한 편차가 상대적으로 커져, 수억 개 셀 중 최악의 셀에서도 읽기·쓰기 여유를 확보하기가 어려워집니다. 그래서 최근에는 로직의 축소율에 비해 SRAM 셀 면적의 축소가 둔화되었고, 칩 면적에서 캐시가 차지하는 비율이 문제가 되고 있습니다.