次世代メモリ

「ストレージクラスメモリ」の位置づけとして正しいものはどれか。

  1. ADRAMとNANDフラッシュの間の速度・容量・コストの差を埋める不揮発性メモリ
  2. BCPU内部のレジスタ
  3. C光ディスクの一種
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正解:A. DRAMとNANDフラッシュの間の速度・容量・コストの差を埋める不揮発性メモリ

DRAMは高速ですが揮発性でビット単価が高く、NANDフラッシュは不揮発で安価ですが遅いという差があります。その中間を埋める不揮発性メモリをストレージクラスメモリと呼び、相変化メモリなどを使った製品が開発されてきました。

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