規格書的閱讀方法
規格書記載 RDS(on) = 10 mΩ（Tj = 25 ℃、VGS = 10 V）的矽功率MOSFET，在 Tj = 125 ℃附近使用時，下列觀念何者正確？
- A半導體溫度上升時電阻會下降，因此以25 ℃的數值估算就會偏向安全側
- BRDS(on)在高溫時越大，因此要以溫度特性圖修正為高溫下的數值來估算損耗
- CRDS(on)幾乎不受溫度影響，因此可直接以表中數值計算導通損耗
查看答案與解析
正確答案：B. RDS(on)在高溫時越大，因此要以溫度特性圖修正為高溫下的數值來估算損耗
矽功率MOSFET的RDS(on)，在溫度上升時因載子遷移率下降而變大，一般在125 ℃時約為25 ℃時的1.5〜2倍。規格書中會刊載以25 ℃為1的正規化RDS(on)溫度特性圖。若以25 ℃的數值計算導通損耗 I²R，會低估損耗，而忽略發熱使電阻進一步上升的惡性循環。這個正溫度係數也有使並聯元件電流趨於均等的優點。