데이터시트 읽는 법
데이터시트에 RDS(on) = 10 mΩ(Tj = 25 ℃, VGS = 10 V)이라고 되어 있는 실리콘 파워 MOSFET을 Tj = 125 ℃ 부근에서 사용할 때의 판단으로 올바른 것은 무엇입니까?
- A반도체는 온도가 올라가면 저항이 낮아지므로, 25 ℃에서의 값으로 추정해 두면 안전 측이 된다
- BRDS(on)은 고온일수록 커지므로, 온도 특성 그래프로 고온에서의 값으로 보정하여 손실을 추정한다
- CRDS(on)은 온도에 거의 의존하지 않으므로, 표의 값을 그대로 도통 손실 계산에 사용할 수 있다
정답과 해설 보기
정답: B. RDS(on)은 고온일수록 커지므로, 온도 특성 그래프로 고온에서의 값으로 보정하여 손실을 추정한다
실리콘 파워 MOSFET의 RDS(on)은 온도가 올라가면 캐리어 이동도가 낮아지기 때문에 커지며, 125 ℃에서는 25 ℃의 약 1.5~2배가 되는 것이 일반적입니다. 데이터시트에는 25 ℃를 1로 한 정규화 RDS(on)의 온도 특성 그래프가 실려 있습니다. 도통 손실 I²R을 25 ℃의 값으로 계산하면 손실을 과소평가하게 되고, 발열로 저항이 더 올라가는 악순환을 놓칩니다. 이 양의 온도 계수는 병렬 연결한 소자의 전류를 균등하게 하는 방향으로 작용한다는 이점도 있습니다.