Vermogenshalfgeleiders

Hoe groot is de temperatuurstijging wanneer in een vermogenscomponent met een thermische weerstand van 2 °C/W een verlies van 10 W optreedt?

  1. A5 °C
  2. B12 °C
  3. C20 °C
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. 20 °C

De temperatuurstijging is thermische weerstand × verlies, dus 2 °C/W × 10 W = 20 °C. Bij een omgevingstemperatuur van 50 °C is de junctietemperatuur dan 70 °C. In werkelijkheid zijn de thermische weerstanden chip → behuizing → koellichaam → lucht in serie geschakeld, dus ze worden bij elkaar opgeteld. Thermische weerstand kan net als weerstand in een elektrisch circuit worden behandeld (wet van Ohm voor warmte) en is de basis van het koelontwerp om de junctietemperatuur onder de bovengrens te houden.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Vermogenshalfgeleiders

  1. Hoe heet de parasitaire diode die structureel in een vermogens-MOSFET aanwezig is?
  2. Wat is de verzamelnaam voor halfgeleiders met een grotere bandkloof dan silicium, zoals SiC en GaN?
  3. Wat is de juiste hoofdtaak van een gatedriver voor vermogenshalfgeleiders?
  4. Wat is de belangrijkste reden dat bij vermogenscomponenten de “normally-off”-eigenschap, waarbij geen stroom vloeit bij een gatespanning van 0 V, vereist is?
  5. Wat is het belangrijkste voordeel van een SiC-Schottkydiode als vrijloopdiode in bijvoorbeeld omvormers?

Vergelijkingen bij dit onderwerp