MOSFET

Welche Bedingung ist richtig, damit ein Langkanal-nMOSFET im Sättigungsbereich arbeitet? (Es gelte VGS > Vth.)

  1. AVDS = 0
  2. BVDS < VGS − Vth
  3. CVDS ≥ VGS − Vth
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Antwort: C. VDS ≥ VGS − Vth

Ist bei VGS > Vth ein Kanal vorhanden und gilt VDS ≥ VGS − Vth, fällt die Gate-Kanal-Spannung am Drain-Ende unter Vth, der Kanal schnürt ab (Pinch-off), und der Drain-Strom hängt kaum noch von VDS ab. Das ist der Sättigungsbereich. Verstärkerschaltungen werden in diesem Bereich betrieben, und das minimal erforderliche VDS (= VGS − Vth) bildet die untere Grenze des Ausgangshubs. Bei kurzen Kanälen sättigt der Strom wegen der Geschwindigkeitssättigung bereits bei niedrigerem VDS.

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