MOSFET

Welcher Zustand der Halbleiteroberfläche ist richtig, wenn bei einer MOS-Struktur mit p-Substrat eine negative Spannung an das Gate gelegt wird?

  1. AInversionszustand, in dem sich Elektronen sammeln
  2. BAkkumulationszustand, in dem sich Löcher sammeln
  3. CEin vollständiger Vakuumzustand, in dem keine Ladungsträger mehr vorhanden sind
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Antwort: B. Akkumulationszustand, in dem sich Löcher sammeln

Wird bei einer MOS-Struktur mit p-Substrat eine negative Spannung an das Gate gelegt, werden die Löcher als Majoritätsladungsträger an die Oberfläche gezogen, und es entsteht der Akkumulationszustand. Bei positiver Spannung werden zunächst die Löcher verdrängt, sodass nur ortsfeste Akzeptorionen übrig bleiben (Verarmungszustand), und bei höherer Spannung sammeln sich Elektronen als Minoritätsladungsträger (Inversionszustand). Die drei Zustände Akkumulation, Verarmung und Inversion lassen sich bei der C-V-Messung als Kapazitätsänderung beobachten und sind die Grundlage der Bewertung der MOS-Struktur.

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