Nederlands
Menu

MOSFET

Wat is de belangrijkste oorzaak dat bij kort-kanaal MOSFET's de drainstroom kleiner is dan de kwadratische wet in (VGS − Vth) en een afhankelijkheid vertoont die dicht bij de eerste macht ligt?

  1. ASubstraatvoorspanningseffect
  2. BToename van de gatecapaciteit
  3. CSnelheidsverzadiging van de ladingdragers
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Snelheidsverzadiging van de ladingdragers

Naarmate het kanaal korter wordt, wordt het elektrische veld in het kanaal sterker en bereikt de snelheid van de ladingdragers de verzadigingssnelheid (ongeveer 1×10⁷ cm/s voor elektronen in silicium). De stroom wordt dan ID ≈ W·Cox·vsat·(VGS − Vth), een afhankelijkheid die dicht bij de eerste macht van (VGS − Vth) ligt. In dit gebied neemt de stroom bij kortere gatelengte minder toe dan verwacht, en de prestaties zijn verbeterd met mobiliteitsverhoging door rek, vergroting van de gatecapaciteit en verlaging van parasitaire weerstanden.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over MOSFET

  1. Welke formule geeft bij benadering de vertragingstijd van een CMOS-logische poort? (C: belastingscapaciteit, V: voedingsspanning, I: aandrijfstroom)
  2. Wat is het teken van de drempelspanning (met de source als referentie) van een enhancement-type p-kanaal MOSFET?
  3. Hoe heet het effect waarbij de capaciteit tussen gate en drain vanaf de ingang van een versterker (1 + versterking) keer zo groot lijkt?
  4. Welk probleem is juist bij een polysilicium-gate wanneer het polysilicium aan de gatezijde uitgeput raakt?
  5. Welk algemeen gevolg is juist wanneer de drempelspanning van een MOSFET wordt verlaagd?

Vergelijkingen bij dit onderwerp