차세대 메모리

MTJ에서 두 자성층의 자화 방향이 평행일 때와 반평행일 때의 저항 관계로 올바른 것은 무엇입니까?

  1. A둘 다 같은 저항이다
  2. B평행일 때가 저항이 높다
  3. C평행일 때가 저항이 낮다
정답과 해설 보기

정답: C. 평행일 때가 저항이 낮다

자성체 내에서는 다수 스핀과 소수 스핀의 전자에서 상태 수가 다릅니다. 자화가 평행일 때는 양쪽에서 다수 스핀끼리 대응하므로 전자가 터널링하기 쉬워 저항이 낮아지고, 반평행일 때는 한쪽의 다수 스핀이 다른 쪽의 소수 스핀 상태에만 들어갈 수 있어 터널링하기 어려우므로 저항이 높아집니다. 이 저항의 차이로 0과 1을 구분합니다.

자기 터널 접합(MTJ)의 두 가지 상태 자유층(기록 대상) 터널 장벽(MgO) 기준층(고정) 평행 저항이 낮음 반평행 저항이 높음
자기 터널 접합(MTJ)의 두 가지 상태 · 도해에서 보기
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