Welche Beziehung zwischen den Widerständen eines MTJ bei paralleler und bei antiparalleler Magnetisierung der beiden magnetischen Schichten ist richtig?

Antwort: C. Bei paralleler Ausrichtung ist der Widerstand niedriger

In magnetischen Materialien unterscheidet sich die Zahl der Zustände für Elektronen mit Majoritäts- und Minoritätsspin. Bei paralleler Magnetisierung entsprechen sich auf beiden Seiten jeweils die Majoritätszustände, Elektronen tunneln leicht, und der Widerstand ist niedrig; bei antiparalleler Magnetisierung können Majoritätselektronen der einen Seite nur in Minoritätszustände der anderen, tunneln schlecht, und der Widerstand ist hoch. Anhand dieses Widerstandsunterschieds werden 0 und 1 unterschieden.