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Mémoires émergentes

Comment appelle-t-on la structure, utilisée comme élément mémorisant 1 bit en MRAM, constituée d'une fine couche isolante prise entre deux couches magnétiques ?

  1. AJonction PN
  2. BJonction Schottky
  3. CJonction tunnel magnétique (MTJ)
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Réponse : C. Jonction tunnel magnétique (MTJ)

L'élément de mémorisation de la MRAM est une jonction tunnel magnétique (MTJ), dans laquelle une couche isolante d'environ 1 nm (barrière tunnel en MgO, etc.) est prise entre deux couches magnétiques (CoFeB, etc.). Les électrons traversent l'isolant par effet tunnel quantique, avec une facilité qui dépend de l'orientation relative des aimantations de part et d'autre. Une MTJ réelle est un empilement d'une dizaine de couches ou plus, comprenant de nombreuses couches destinées à stabiliser la couche de référence.

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