Wie heißt die Struktur, bei der zwei magnetische Schichten eine dünne Isolierschicht einschließen und die in MRAM als Element zum Speichern eines Bits dient?

Antwort: C. Magnetischer Tunnelkontakt (MTJ)

Das Speicherelement von MRAM ist ein magnetischer Tunnelkontakt (MTJ), bei dem zwischen zwei magnetischen Schichten (z. B. CoFeB) eine etwa 1 nm dicke Isolierschicht (Tunnelbarriere, z. B. MgO) liegt. Elektronen durchqueren die Isolierschicht per quantenmechanischem Tunneleffekt, und die Durchlässigkeit hängt von der Beziehung der Magnetisierungsrichtungen beider Seiten ab. Reale MTJs bestehen aus Schichtstapeln von mehr als zehn Lagen, die auch zahlreiche Schichten zur Stabilisierung der Referenzschicht enthalten.