Bipolaire transistor
Wat is het doel van een transistor met een parallel tussen basis en collector geplaatste schottky-barrièrediode (schottkyklem)?
- ADe stroomversterking vergroten
- BVoorkomen dat de transistor diep verzadigt en zo de opgeslagen lading verminderen en het schakelen versnellen
- CDe doorslagspanning verhogen
Antwoord en toelichting tonen
Antwoord: B. Voorkomen dat de transistor diep verzadigt en zo de opgeslagen lading verminderen en het schakelen versnellen
Een schottkydiode geleidt bij circa 0,3 V, een lagere spanning dan een pn-overgang (circa 0,7 V). Hij leidt daarom overtollige basisstroom af voordat de basis-collectorovergang diep in doorlaatrichting komt, en voorkomt zo dat de transistor in diepe verzadiging raakt. De in de basis opgeslagen minderheidsladingsdragers nemen af en het uitschakelen gaat sneller; dit werd in de 74S- en 74LS-series (schottky-TTL) gebruikt voor hogere snelheid en lager vermogen. VCE(sat) wordt iets hoger, circa 0,4 V.