Bipolaire transistor

Wat is het doel van een transistor met een parallel tussen basis en collector geplaatste schottky-barrièrediode (schottkyklem)?

  1. ADe stroomversterking vergroten
  2. BVoorkomen dat de transistor diep verzadigt en zo de opgeslagen lading verminderen en het schakelen versnellen
  3. CDe doorslagspanning verhogen
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: B. Voorkomen dat de transistor diep verzadigt en zo de opgeslagen lading verminderen en het schakelen versnellen

Een schottkydiode geleidt bij circa 0,3 V, een lagere spanning dan een pn-overgang (circa 0,7 V). Hij leidt daarom overtollige basisstroom af voordat de basis-collectorovergang diep in doorlaatrichting komt, en voorkomt zo dat de transistor in diepe verzadiging raakt. De in de basis opgeslagen minderheidsladingsdragers nemen af en het uitschakelen gaat sneller; dit werd in de 74S- en 74LS-series (schottky-TTL) gebruikt voor hogere snelheid en lager vermogen. VCE(sat) wordt iets hoger, circa 0,4 V.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Bipolaire transistor

  1. Welke biasvoorwaarde is juist wanneer een NPN-transistor voor versterking wordt gebruikt (in het actieve gebied)?
  2. Welke formule geeft de gelijkstroomversterking hFE van een bipolaire transistor? (IC: collectorstroom, IB: basisstroom, IE: emitterstroom)
  3. Wat is de meest passende reden om de basis van een bipolaire transistor dun te maken?
  4. Welk werkgebied van een bipolaire transistor komt overeen met de aan-toestand wanneer hij als schakelaar wordt gebruikt?
  5. Hoe is de fase van de uitgangsspanning van een gemeenschappelijke-emitterversterker ten opzichte van de ingangsspanning?

Vergelijkingen bij dit onderwerp