차세대 메모리

저항 변화형 메모리 등을 사용한 인메모리 컴퓨팅에서 기대되는 주된 용도는 무엇입니까?

  1. A디스플레이의 발광 소자로 사용한다
  2. B전지의 전극으로 사용한다
  3. C메모리 어레이 안에서 곱셈 누산 연산을 수행하여 AI 처리의 데이터 이동과 소비 전력을 줄인다
정답과 해설 보기

정답: C. 메모리 어레이 안에서 곱셈 누산 연산을 수행하여 AI 처리의 데이터 이동과 소비 전력을 줄인다

AI 처리에는 방대한 곱셈 누산 연산이 필요하며, 메모리와 연산기 사이의 데이터 이동이 소비 전력의 대부분을 차지합니다. 저항 변화 소자를 어레이로 배열하고 가중치를 컨덕턴스로 기억시킨 뒤 입력을 전압으로 주면, 옴의 법칙(I = GV)으로 곱셈, 키르히호프의 전류 법칙으로 덧셈을 배선 위에서 한 번에 수행할 수 있습니다. 다만 아날로그 연산이므로 소자의 편차와 ADC의 정밀도가 과제입니다.

이 분야 연습하기 분야로 돌아가기

차세대 메모리의 다른 문제

  1. 커패시터형 FeRAM의 읽기 특징으로 올바른 것은 무엇입니까?
  2. MRAM의 자기터널접합(MTJ)에서 터널 장벽층으로 널리 사용되며 큰 터널 자기저항비를 얻을 수 있는 재료는 무엇입니까?
  3. ReRAM에서 처음에 비교적 높은 전압을 인가하여 전도성 필라멘트를 만드는 초기화 공정을 무엇이라고 합니까?
  4. SOT-MRAM의 특징으로 올바른 것은 무엇입니까?
  5. MRAM이 마이컴 등의 내장 비휘발성 메모리로 주목받는 이유의 하나로 올바른 것은 무엇입니까?

이 분야의 비교