Montage où le courant d'émetteur du premier transistor alimente la base du second. Le gain en courant total est à peu près le produit des deux gains, ce qui permet de commander un fort courant avec un faible courant de base.
Nom japonais: ダーリントン接続
« Montage Darlington » apparaît dans 1 questions d'entraînement réparties sur 1 thèmes, dont Transistors bipolaires.
Domaine: Transistors bipolaires
Réponse : C. Le gain en courant global est à peu près le produit des gains en courant de chaque transistor
Le montage Darlington injecte le courant d'émetteur du premier transistor dans la base du second ; le gain en courant global vaut environ hFE1 × hFE2 (par exemple 100 × 100 = 10 000). Un faible courant suffisant à commander directement un moteur ou un relais, on utilise des transistors Darlington intégrés en une seule puce ou des réseaux (ULN2003, etc.). En contrepartie, VBE vaut environ 1,4 V, la tension de saturation est plus élevée et la commutation plus lente.
Le montage Darlington injecte le courant d'émetteur du premier transistor dans la base du second ; le gain en courant global vaut environ hFE1 × hFE2 (par exemple 100 × 100 = 10 000).
Quelle caractéristique du montage Darlington, qui combine d…Gain en courant (hFE) Distorsion de croisement Effet Early Effet Miller Émetteur suiveur Fréquence de transition HBT (transistor bipolaire à hétérojonction) Miroir de courant Montage émetteur commun Région active