Quelle cause connue peut dégrader les caractéristiques d'un MOSFET SiC lorsqu'un courant traverse durablement sa diode de corps ?

Réponse : A. L'extension des dislocations du plan basal du cristal en fautes d'empilement

Lorsqu'un courant direct traverse la diode de corps du SiC, l'énergie de recombinaison électron-trou peut étendre les dislocations du plan basal du cristal en fautes d'empilement, ce qui élève la tension à l'état passant (dégradation bipolaire). Les fautes d'empilement sont des défauts planaires qui entravent la conduction. Les remèdes incluent des couches tampons qui convertissent, en cours de croissance épitaxiale, les dislocations du plan basal en un autre type de dislocation, ou l'intégration d'une diode Schottky pour ne pas dépendre de la diode de corps.