Metall-Halbleiter-Kontakt mit niedrigem Widerstand in beiden Richtungen und linearer Strom-Spannungs-Beziehung. Er entsteht durch starke Dotierung der Halbleiteroberfläche, sodass Ladungsträger die Barriere durchtunneln können.
Japanische Bezeichnung: オーミック接触
Fachgebiet: PN-Übergänge und Dioden
Diffusionskapazität (diffusion capacitance) Diffusionsspannung Durchlassrichtung (Flussspannung anlegen) Idealitätsfaktor (ideality factor) Lawinendurchbruch Leitfähigkeitsmodulation (conductivity modulation) Raumladungszone (Sperrschicht) Schottky-Diode (Schottky barrier diode) Sperrschichtkapazität (Verarmungskapazität, junction capacitance) Sperrverzögerungszeit (reverse recovery time)