Dans une mémoire crosspoint où les éléments résistifs sont placés aux intersections de lignes horizontales et verticales, quel élément est placé en série avec l'élément de mémorisation pour empêcher le courant de contourner par les cellules non sélectionnées ?

Réponse : C. Un sélecteur (élément de sélection)

La structure crosspoint place l'élément de mémorisation directement à chaque intersection des lignes, sans transistor, ce qui permet une surface de cellule minimale de 4F² et l'empilement de couches. Cependant, le courant de fuite (sneak current) traversant les cellules non sélectionnées perturbe la lecture ; on place donc en série un sélecteur qui ne laisse presque pas passer de courant en dessous d'une certaine tension. Le sélecteur doit présenter une caractéristique extrêmement non linéaire, avec un fort courant passant et un faible courant bloqué.