Welche Ursache ist dafür bekannt, dass sich die Eigenschaften eines SiC-MOSFET verschlechtern können, wenn dauerhaft Strom durch die Body-Diode fließt?

Antwort: A. Basalebenenversetzungen im Kristall wachsen zu Stapelfehlern aus

Fließt Durchlassstrom durch die Body-Diode von SiC, wachsen durch die Rekombinationsenergie von Elektronen und Löchern Basalebenenversetzungen im Kristall zu Stapelfehlern aus, wodurch die Durchlassspannung steigen kann (bipolare Degradation). Stapelfehler sind flächige Defekte, die die Leitung behindern. Als Gegenmaßnahmen dienen Pufferschichten, die Basalebenenversetzungen während des epitaktischen Wachstums in andere Versetzungsarten umwandeln, oder integrierte Schottky-Dioden, damit nicht auf die Body-Diode gesetzt werden muss.