Wat is de bekende oorzaak waarom de eigenschappen van een SiC-MOSFET kunnen verslechteren als er continu stroom door de bodydiode vloeit?

Antwoord: A. Basale-vlakdislocaties in het kristal breiden uit tot stapelfouten

Wanneer een voorwaartse stroom door de bodydiode van SiC vloeit, kunnen basale-vlakdislocaties in het kristal door de recombinatie-energie van elektronen en gaten uitbreiden tot stapelfouten, waardoor de aan-spanning stijgt (bipolaire degradatie). Stapelfouten zijn vlakke defecten die de geleiding belemmeren. Er worden maatregelen genomen zoals een bufferlaag die basale-vlakdislocaties tijdens de epitaxiale groei omzet in een ander type dislocatie, en het inbouwen van een Schottkydiode zodat niet op de bodydiode wordt vertrouwd.