Wie heißt die Energiedifferenz zwischen dem Vakuumniveau und der Leitungsbandunterkante eines Halbleiters?

Antwort: A. Elektronenaffinität

Die Elektronenaffinität (χ) ist die Energie, die nötig ist, um ein Elektron von der Leitungsbandunterkante ins Vakuum zu bringen; bei Silizium beträgt sie etwa 4,05 eV. Sie ist ein materialspezifischer Wert und ändert sich nicht mit der Dotierung. Die Austrittsarbeit dagegen ist die Differenz zwischen Fermi-Niveau und Vakuumniveau und ändert sich mit der Dotierung. Bei Heteroübergängen verschiedener Halbleiter bestimmt die Differenz der Elektronenaffinitäten den Leitungsbandsprung (ΔEc) (Anderson-Regel).