Hoe heet het energieverschil tussen het vacuümniveau en de onderkant van de geleidingsband van een halfgeleider?

Antwoord: A. Elektronenaffiniteit

De elektronenaffiniteit (χ) is de energie die nodig is om een elektron aan de onderkant van de geleidingsband in vacuüm te brengen, en bedraagt bij silicium ca. 4,05 eV. Het is een materiaaleigenschap en verandert niet met de onzuiverheidsconcentratie. De werkfunctie daarentegen is het verschil tussen het Fermi-niveau en het vacuümniveau en verandert wel met de onzuiverheidsconcentratie. Bij een heterojunctie van verschillende halfgeleiders bepaalt het verschil in elektronenaffiniteit de sprong in de geleidingsband (ΔEc) (regel van Anderson).