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Lire une fiche technique

Quelle précaution est correcte lorsque l'on utilise la valeur θJA (résistance thermique jonction-ambiante) indiquée dans la fiche technique pour la conception thermique d'un appareil réel ?

  1. AC'est une valeur qui ne dépend que de la structure du boîtier ; elle ne change donc pas, quelle que soit la carte sur laquelle le composant est monté
  2. BPlus on agrandit la surface de cuivre de la carte, plus la chaleur est confinée, et plus θJA augmente
  3. CC'est une valeur mesurée sur une carte d'essai ; elle varie donc fortement selon la surface de cuivre et le nombre de couches de la carte réelle, et selon la présence ou non de ventilation
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Réponse : C. C'est une valeur mesurée sur une carte d'essai ; elle varie donc fortement selon la surface de cuivre et le nombre de couches de la carte réelle, et selon la présence ou non de ventilation

θJA est mesurée en montant le circuit intégré sur une carte d'essai définie par une norme telle que JEDEC, dans une enceinte sans circulation d'air. Une grande partie de la chaleur passe du boîtier à la carte par les broches et le plot arrière, si bien que θJA dépend fortement de la carte. Pour un même boîtier, la valeur peut presque doubler entre une petite carte simple couche et une carte multicouche comportant de nombreux plans de cuivre. Agrandir la surface de cuivre ou ventiler réduit θJA (meilleure dissipation). La valeur de la fiche technique est à considérer comme une indication de comparaison, et sur l'appareil réel on vérifie en mesurant la température.

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Autres questions sur Lire une fiche technique

  1. Pour un circuit intégré avec une température de jonction maximale Tj(max) = 125 °C et θJA = 50 °C/W, utilisé à une température ambiante Ta = 85 °C, quelle est la puissance dissipée maximale admissible ?
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  4. La puissance dissipable d'un boîtier vaut 1,0 W jusqu'à une température ambiante de 25 °C, puis décroît linéairement au-delà pour atteindre 0 W à 150 °C. Quelle est la puissance dissipable à une température ambiante de 75 °C ?
  5. Une fiche technique indique RDS(on) = 10 mΩ (Tj = 25 °C, VGS = 10 V) pour un MOSFET de puissance en silicium. Quelle approche est correcte pour une utilisation vers Tj = 125 °C ?