Nederlands
Menu

Datasheets lezen

Welk aandachtspunt is juist bij het gebruik van de in de datasheet vermelde θJA (thermische weerstand junctie–omgeving) voor het thermisch ontwerp van een echt apparaat?

  1. AHet is een waarde die alleen door de constructie van de behuizing wordt bepaald, dus ongeacht de printplaat waarop het component wordt gemonteerd, verandert de waarde niet
  2. BHoe groter het koperoppervlak van de printplaat, hoe meer warmte wordt vastgehouden en hoe groter θJA wordt
  3. CHet is een waarde gemeten op een testprintplaat, dus hij verandert sterk met het koperoppervlak en het aantal lagen van de echte printplaat en met wel of geen luchtstroming
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: C. Het is een waarde gemeten op een testprintplaat, dus hij verandert sterk met het koperoppervlak en het aantal lagen van de echte printplaat en met wel of geen luchtstroming

θJA is gemeten met het IC gemonteerd op een testprintplaat volgens een norm zoals JEDEC, in een omhulling zonder luchtstroming. Veel warmte stroomt van de behuizing via de pinnen en de pad aan de onderzijde naar de printplaat, dus θJA hangt sterk af van de printplaat. Bij dezelfde behuizing kan het verschil tussen een kleine enkellaagse printplaat en een meerlaagse printplaat met veel kopervlakken bijna een factor 2 zijn. Een groter koperoppervlak of luchtstroming maakt θJA kleiner (betere warmteafvoer). Beschouw de datasheetwaarde als richtwaarde voor vergelijking en controleer in het echte apparaat door de temperatuur te meten.

Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Datasheets lezen

  1. Hoe groot is het maximaal toegestane vermogen voor een IC met een maximale junctietemperatuur Tj(max) = 125 °C en θJA = 50 °C/W bij een omgevingstemperatuur Ta = 85 °C?
  2. Welke combinatie gebruik je als thermische weerstand van junctie tot omgeving bij het schatten van de junctietemperatuur van een vermogenscomponent met koellichaam?
  3. Hoe gebruik je de in de datasheet vermelde ψJT (thermische karakteriseringsparameter junctie–bovenkant behuizing) correct?
  4. Een behuizing heeft een toegestane dissipatie van 1,0 W tot een omgevingstemperatuur van 25 °C; daarboven neemt die lineair af tot 0 W bij 150 °C. Hoe groot is de toegestane dissipatie bij een omgevingstemperatuur van 75 °C?
  5. Een silicium-vermogens-MOSFET heeft volgens de datasheet RDS(on) = 10 mΩ (Tj = 25 °C, VGS = 10 V). Welke benadering is juist bij gebruik rond Tj = 125 °C?