Verbindungshalbleiter
Welche Beschreibung des „Typs I“ bei der Bandanordnung an Heteroübergängen ist richtig?
- ASowohl die Unterkante des Leitungsbands als auch die Oberkante des Valenzbands des Materials mit kleiner Bandlücke liegen innerhalb der Bandlücke des Materials mit großer Bandlücke
- BDie Bandlücken der beiden Materialien überlappen nicht
- CLeitungsband und Valenzband der beiden Materialien sind gegeneinander versetzt und liegen gestaffelt
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Antwort: A. Sowohl die Unterkante des Leitungsbands als auch die Oberkante des Valenzbands des Materials mit kleiner Bandlücke liegen innerhalb der Bandlücke des Materials mit großer Bandlücke
Beim Typ I liegt das Band des Materials mit kleiner Bandlücke innerhalb des Bands des Materials mit großer Bandlücke, sodass sowohl Elektronen als auch Löcher in der Schicht mit kleiner Bandlücke eingeschlossen werden (z. B. GaAs/AlGaAs). Dies wird für die effiziente Rekombination in Quantentöpfen von LEDs und Lasern genutzt. Beim gestaffelten Typ II sind Elektronen und Löcher auf verschiedene Schichten verteilt, was z. B. in langwelligen Infrarotdetektoren (InAs/GaSb-Übergitter) genutzt wird.