Wie ändert sich die Stromverstärkung hFE eines Silizium-Bipolartransistors im Allgemeinen mit steigender Temperatur?

Antwort: A. Sie nimmt zu

hFE von Siliziumtransistoren steigt im Allgemeinen mit der Temperatur, etwa um 0,5 bis 1 % pro °C. Zudem sinkt VBE um etwa −2 mV/°C, und der Kollektor-Basis-Leckstrom ICBO verdoppelt sich etwa alle 10 °C. Da diese drei Effekte zusammenwirken und der Kollektorstrom bei Erwärmung steigt, wird der Arbeitspunkt z. B. durch Gegenkopplung mit einem Emitterwiderstand stabilisiert. Umgekehrt sinkt hFE bei niedriger Temperatur, sodass auf eine ausreichende Ansteuerung zu achten ist.