Coupe d'un MOSFET à canal n (état passant)
Un MOSFET à canal n comporte une source et un drain n⁺ réalisés dans un substrat de type p ; la surface entre les deux est recouverte d'une électrode de grille posée sur un mince isolant de grille. Sans tension sur la grille, la région entre source et drain est de type p et aucun courant ne circule.
Lorsqu'on applique une tension positive croissante à la grille, les trous sont repoussés de la surface et une zone de déplétion apparaît. Au-delà de la tension de seuil, les électrons s'accumulent à la surface, qui s'inverse en type n. Cette couche d'électrons (la couche d'inversion) forme le canal qui relie source et drain, et le transistor devient passant.
À essayer : tension de grille et canal
En augmentant la tension de grille VGS, les trous sous la grille sont repoussés et la zone de déplétion s'élargit ; au-delà de la tension de seuil, les électrons se rassemblent à la surface et forment une couche d'inversion (le canal). La tension de seuil est de 0,46 V et la tension de bandes plates d'environ −1,0 V (valeurs par défaut du calculateur de tension de seuil).