n채널 MOSFET의 단면(켜진 상태)

n채널 MOSFET의 단면(켜진 상태) p형 기판 소스 n⁺ 드레인 n⁺ 게이트 VGS > Vth 전자 반전층(채널) 게이트 절연막

n채널 MOSFET은 p형 기판에 n⁺ 소스와 드레인을 만들고, 그 사이 표면을 얇은 게이트 절연막을 사이에 두고 게이트 전극으로 덮은 구조입니다. 게이트에 전압을 걸지 않으면 소스와 드레인 사이는 p형이므로 전류가 흐르지 않습니다.

게이트에 양의 전압을 걸어 가면 표면의 정공이 밀려나 공핍층이 생기고, 문턱 전압을 넘으면 표면에 전자가 모여 n형으로 반전됩니다. 이 전자층(반전층)이 채널이 되어 소스와 드레인을 연결하고, 트랜지스터가 켜집니다.

관련 계산 도구

나오는 문제

  1. 인핸스먼트형 n채널 MOSFET이 켜지는(도통하는) 조건으로 올바른 것은 무엇입니까? (VGS: 게이트-소스 간 전압, Vth: 문턱 전압)

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