Prozessmaterialien (Gase, Chemikalien)
Welche Reinheit ist als Richtwert für Sputtertargets für die Cu-Seedschicht korrekt?
- AHohe Reinheit von etwa 6N (99.9999 %)
- BEtwa 90 %
- CEtwa 50 %
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Antwort: A. Hohe Reinheit von etwa 6N (99.9999 %)
Verunreinigungen im Sputtertarget werden unmittelbar in den Film eingebaut und verschlechtern Leitungswiderstand und Elektromigrationsbeständigkeit. Daher wird für Cu-Targets eine hohe Reinheit von etwa 6N (99.9999 %) verlangt. Werden außerdem Größe und Orientierung der Kristallkörner vereinheitlicht, werden Richtung und Geschwindigkeit der herausgeschlagenen Atome stabil und die Schichtdickengleichmäßigkeit steigt. Mit 90 % oder 50 % Reinheit entsteht kein als Leitung nutzbarer Film.