Leistungshalbleiter

Welches Merkmal des Superjunction-(SJ-)MOSFET ist richtig?

  1. AIn der Driftschicht sind p- und n-Säulen abwechselnd angeordnet, wodurch bei gleicher Sperrspannung der Durchlasswiderstand sinkt
  2. BEr hat zwei Gates
  3. CDas Gate-Oxid ist sehr dick, um die Sperrspannung zu erhöhen
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: A. In der Driftschicht sind p- und n-Säulen abwechselnd angeordnet, wodurch bei gleicher Sperrspannung der Durchlasswiderstand sinkt

Bei der Superjunction-Struktur sind in der Driftschicht p- und n-Säulen abwechselnd angeordnet. Im Sperrzustand werden sie auch lateral verarmt, sodass die gesamten Säulen zur Verarmungszone werden und selbst hoch dotierte n-Säulen eine hohe Sperrspannung halten; im Einschaltzustand fließt der Strom durch die hoch dotierten n-Säulen. So lässt sich der Durchlasswiderstand von 600-V-Si-MOSFETs auf einen Bruchteil der herkömmlichen Siliziumgrenze senken, und sie werden breit in Netzteilen und PFC-Schaltungen eingesetzt. Der Schlüssel der Fertigung ist das präzise Ausbalancieren der p- und n-Ladung.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Leistungshalbleiter

  1. Wie groß ist die Temperaturerhöhung, wenn in einem Leistungsbauelement mit 2 °C/W Wärmewiderstand 10 W Verlustleistung entstehen?
  2. Wie heißt die bauartbedingt im Inneren des Leistungs-MOSFET entstehende parasitäre Diode?
  3. Wie heißt der Oberbegriff für Halbleiter wie SiC und GaN, deren Bandlücke größer als die von Silizium ist?
  4. Welche Hauptaufgabe hat der Gate-Treiber von Leistungshalbleitern?
  5. Was ist der Hauptgrund dafür, dass bei Leistungsbauelementen die Normally-off-Eigenschaft (kein Stromfluss bei 0 V Gate-Spannung) gefordert wird?

Vergleiche zu diesem Thema