전력 반도체
슈퍼정션(SJ) MOSFET의 특징으로 올바른 것은 무엇입니까?
- A드리프트층에 p형과 n형 기둥을 번갈아 배열해 내압을 유지하면서 온 저항을 낮춘다
- B게이트를 2개 가진다
- C게이트 산화막을 매우 두껍게 해서 내압을 높인다
정답과 해설 보기
정답: A. 드리프트층에 p형과 n형 기둥을 번갈아 배열해 내압을 유지하면서 온 저항을 낮춘다
슈퍼정션 구조에서는 드리프트층에 p형과 n형 기둥을 번갈아 배열합니다. 오프 시에는 가로 방향으로도 공핍화되어 기둥 전체가 공핍층이 되므로 고농도 n 기둥으로도 높은 내압을 유지할 수 있고, 온 시에는 고농도 n 기둥으로 전류가 흐릅니다. 이로써 600 V급 Si MOSFET의 온 저항을 기존 실리콘 한계의 수분의 1로 낮출 수 있어 전원이나 PFC 회로에서 널리 사용됩니다. p·n의 전하를 정밀하게 균형 맞추는 제조 기술이 핵심입니다.