Wie heißt der Oberbegriff für Halbleiter wie SiC und GaN, deren Bandlücke größer als die von Silizium ist?

Antwort: A. Halbleiter mit großer Bandlücke (Wide-Bandgap-Halbleiter)

Halbleiter mit einer Bandlücke von etwa 3 eV oder mehr heißen Wide-Bandgap-Halbleiter; typisch sind SiC (etwa 3.3 eV) und GaN (etwa 3.4 eV). Wegen der hohen Durchbruchfeldstärke und wenigen intrinsischen Ladungsträger arbeiten sie leicht auch bei hohen Temperaturen und werden für Leistungsbauelemente mit hoher Sperrspannung und geringen Verlusten sowie für Hochfrequenzbauelemente eingesetzt. Noch größere wie Ga2O3 (etwa 4.8 eV) und Diamant (etwa 5.5 eV) heißen Ultra-Wide-Bandgap-Halbleiter.