Halbleiterphysik

Welcher Wert kommt der Elektronenbeweglichkeit von Silizium mit wenigen Verunreinigungen bei Raumtemperatur am nächsten?

  1. Aetwa 14 cm²/(V·s)
  2. Betwa 140.000 cm²/(V·s)
  3. Cetwa 1.400 cm²/(V·s)
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Antwort: C. etwa 1.400 cm²/(V·s)

Die Beweglichkeit von niedrig dotiertem Silizium bei Raumtemperatur beträgt etwa 1.400 cm²/(V·s) für Elektronen und etwa 450 cm²/(V·s) für Löcher. Im Kanal von MOSFETs sinkt sie durch Streuung an Oberflächenrauheit und Grenzflächenladungen auf etwa die Hälfte oder weniger. Elektronen in GaAs haben etwa 8.500 und in InSb etwa 77.000 cm²/(V·s); unter den Verbindungshalbleitern gibt es also deutlich schnellere Materialien, die für Hochfrequenzanwendungen verwendet werden. Mit zunehmender Dotierung sinkt die Beweglichkeit bei jedem Material.

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