Halbleiterphysik

Welcher Wert kommt der relativen Permittivität von Silizium am nächsten?

  1. Aetwa 11,7
  2. Betwa 80
  3. Cetwa 3,9
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: A. etwa 11,7

Die relative Permittivität von Silizium beträgt etwa 11,7 und wird für die Berechnung der Breite der Verarmungszone (W = √(2εV/qN)) und der Sperrschichtkapazität verwendet. SiO2 hat etwa 3,9, und die Leistung von Gateisolatoren wird anhand der darauf bezogenen äquivalenten Oxiddicke (EOT) verglichen. Mit High-k-Materialien wie HfO2 (etwa 20 bis 25) lässt sich bei physikalisch dickerer Schicht der Tunnelstrom unterdrücken und dieselbe Kapazität wie bei dünnem SiO2 erzielen. Zwischen Leitbahnen werden umgekehrt Low-k-Materialien mit niedriger Permittivität verwendet.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu Halbleiterphysik

  1. Welcher Wert kommt der Elektronenbeweglichkeit von Silizium mit wenigen Verunreinigungen bei Raumtemperatur am nächsten?
  2. Warum ist bei indirekten Halbleitern wie Silizium die Wahrscheinlichkeit gering, dass Elektronen und Löcher unter Lichtemission rekombinieren?
  3. Wie heißen die Niveaus, die eingeführt werden, um in einem durch Lichteinstrahlung oder Strominjektion aus dem thermischen Gleichgewicht gebrachten Halbleiter Elektronen- und Löcherdichte jeweils getrennt zu beschreiben?
  4. Welcher Wert kommt der Gitterkonstante von Siliziumkristall am nächsten?
  5. Was ist der Grund dafür, dass das intrinsische Fermi-Niveau von Silizium geringfügig von der exakten Mitte der Bandlücke abweicht?