Halbleiterphysik
Welcher Wert kommt der Bandlücke von Silizium (Si) bei Raumtemperatur am nächsten?
- Aetwa 0,66 eV
- Betwa 1,12 eV
- Cetwa 3,4 eV
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Antwort: B. etwa 1,12 eV
Die Bandlücke von Silizium beträgt bei Raumtemperatur etwa 1,12 eV, und die Obergrenze der absorbierbaren Wellenlänge liegt bei etwa 1,1 µm (1240 ÷ 1,12). Etwa 0,66 eV hat Germanium, bei dem wegen der kleinen Lücke bei hoher Temperatur leicht Leckströme zunehmen; etwa 3,4 eV hat GaN, ein Halbleiter mit großer Bandlücke, der sich für hohe Sperrspannung, Hochtemperaturbetrieb und blaue LEDs eignet. Silizium liegt dazwischen und wurde zusammen mit der Möglichkeit, hochwertige thermische Oxidschichten (SiO2) zu erzeugen, zum Hauptwerkstoff der LSIs.