Verdrahtungsprozess

Welche Aussage zur Rückseiten-Stromversorgung (Backside Power Delivery), die in fortschrittlicher Logik eingeführt wird, ist richtig?

  1. AVerfahren, bei dem keine Versorgung von außerhalb des Chips zugeführt wird
  2. BVerfahren, bei dem alle Leitungen durch Lichtleiter ersetzt werden
  3. CVerfahren, bei dem Versorgungsleitungen auf der Wafer-Rückseite angeordnet werden und die Leitungen der Vorderseite für Signale genutzt werden können, wodurch Spannungsabfall und Leitungsüberlastung sinken
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Antwort: C. Verfahren, bei dem Versorgungsleitungen auf der Wafer-Rückseite angeordnet werden und die Leitungen der Vorderseite für Signale genutzt werden können, wodurch Spannungsabfall und Leitungsüberlastung sinken

Früher wurden Signal- und Versorgungsleitungen vollständig oberhalb (auf der Vorderseite) der Transistoren gefertigt, und die Versorgung lief über mehr als zehn Leitungslagen und Vias nach unten. Bei der Rückseiten-Stromversorgung wird der Wafer auf einige hundert nm bis einige µm gedünnt, auf der Rückseite werden dicke Versorgungsleitungen angelegt, und die Transistoren werden von unten versorgt. Der Spannungsabfall sinkt, und die Leitungen der Vorderseite können für Signale genutzt werden, sodass Zellen kleiner werden. Eingeführt wird sie u. a. mit Intels PowerVia (18A) und TSMCs A16.

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