DRAM

Warum verkürzt sich beim DRAM die Zugriffszeit, wenn aufeinanderfolgend auf dieselbe Zeile (Seite) zugegriffen wird?

  1. AWeil kein Refresh mehr nötig ist
  2. BWeil die Versorgungsspannung steigt
  3. CWeil die Daten der einmal aktivierten Zeile in den Leseverstärkern gehalten werden und durch bloßes Wechseln der Spalte ausgelesen werden können
Antwort und Erläuterung anzeigen

Antwort: C. Weil die Daten der einmal aktivierten Zeile in den Leseverstärkern gehalten werden und durch bloßes Wechseln der Spalte ausgelesen werden können

Wird eine Zeile aktiviert, werden die Daten aller Zellen dieser Zeile in die Leseverstärker ausgelesen und die Seite bleibt geöffnet. Bei derselben Zeile kann ohne erneute Aktivierung allein durch Ändern der Spaltenadresse gelesen werden (Zeit entsprechend der CAS-Latenz), was schneller ist als beim Wechsel auf eine andere Zeile (Precharge + Aktivierung + Spaltenzugriff). Der Speichercontroller erhöht diese Page Hits, indem er die Zugriffsreihenfolge umordnet, etwa Anfragen an dieselbe Zeile bündelt.

Dieses Thema üben Zur Themenseite

Weitere Fragen zu DRAM

  1. Warum werden für die Dielektrikumsschicht von DRAM-Kondensatoren High-k-Materialien wie Zirkoniumoxid verwendet?
  2. Welche Aussage zum Self-Refresh-Modus von DRAM ist richtig?
  3. Wie viel ergibt ein DRAM-Chip mit 8 Gbit Kapazität in Byte umgerechnet?
  4. Was bedeutet die CAS-Latenz (CL) von DRAM?
  5. Was ist der Haupteinsatzzweck der als LPDDR bezeichneten DRAM-Spezifikation?

Vergleiche zu diesem Thema