關於PN接面分析中使用的「空乏近似」，下列內容何者正確？

正確答案：B. 視為空乏區中完全沒有載子，而其外側電荷為中性

在空乏近似中，視為空乏區內完全沒有自由載子，只有離子化雜質的電荷，而其外側呈電中性。實際的邊界在德拜長度左右的寬度內是平緩變化的，但藉由這種簡化，可以簡單地解出帕松方程式，並以公式求得空乏區寬度、電場與電容。不只是PN接面，MOS電容與MOSFET臨界電壓的計算也使用相同的近似。

• A. 雜質濃度在兩側可以不同，並不假設相等。
• B. 正確。視為空乏區內載子為零、外側為中性。
• C. 空乏近似是視為空乏區中幾乎沒有載子。