PN 접합과 다이오드
애벌란시 항복의 원리로 올바른 것은?
- A고전계에서 가속된 캐리어가 격자에 충돌하여 새로운 전자·정공 쌍을 만들고, 그것이 연쇄적으로 늘어난다
- B전자가 얇은 장벽을 양자역학적으로 빠져나간다
- C온도 상승으로 접합이 녹는다
정답과 해설 보기
정답: A. 고전계에서 가속된 캐리어가 격자에 충돌하여 새로운 전자·정공 쌍을 만들고, 그것이 연쇄적으로 늘어난다
애벌란시 항복에서는 공핍층의 강한 전계로 가속된 캐리어가 원자에 충돌하여 전자·정공 쌍을 만들고(충돌 이온화), 그것이 다시 가속되어 충돌을 반복함으로써 전류가 급증합니다. 실리콘의 임계 전계는 약 3×10⁵ V/cm이며, 불순물 농도가 낮고 공핍층이 넓은 접합일수록 높은 전압에서 일어납니다. SiC는 임계 전계가 약 10배 높으므로 같은 내압을 얇은 드리프트층으로 실현할 수 있어 저손실 파워 소자가 됩니다.