規格書的閱讀方法

將最大接面溫度 Tj(max) = 125 ℃、θJA = 50 ℃/W 的IC,在周圍溫度 Ta = 85 ℃ 下使用時,容許的功耗上限為多少?

  1. A0.8 W
  2. B2.5 W
  3. C1.7 W
查看答案與解析

正確答案:A. 0.8 W

接面溫度可由 Tj = Ta + P × θJA 求得。將其對P求解,P = (Tj(max) − Ta)/θJA = (125 − 85)/50 = 0.8 W。周圍溫度越高,容許的溫升幅度越小,因此容許的功率也越小。2.5 W是忘了減去周圍溫度而算成125/50的錯誤,1.7 W是算成85/50的錯誤。實際上,要考慮θJA會因電路板而變以及降額的餘裕,將功率壓在比計算值更低的範圍來設計。

熱阻串聯電路模型 加裝散熱片時 Tj Tc Ts Ta θJC θCS θSA 接面 外殼 散熱片 環境 熱流 P(消耗功率)相當於電流 Tj = Ta + P × (θJC + θCS + θSA) 僅用θJA估算時 Tj Ta θJA Tj = Ta + P × θJA θJA是在測試板上量得的值,會隨安裝條件改變
熱阻串聯電路模型 · 在圖解集中查看
練習這個領域 前往領域頁面

規格書的閱讀方法的其他題目

  1. 估算加裝散熱片使用之功率元件的接面溫度時,作為接面到周圍的熱阻應使用哪一種組合?
  2. 規格書中 ψJT(接面至封裝頂面的熱特性參數)的用法,下列何者正確?
  3. 有一種封裝,其容許損耗在周圍溫度25 ℃以下為1.0 W,高於此溫度時呈直線減少,至150 ℃時為0 W。周圍溫度75 ℃時的容許損耗為多少?
  4. 規格書記載 RDS(on) = 10 mΩ(Tj = 25 ℃、VGS = 10 V)的矽功率MOSFET,在 Tj = 125 ℃附近使用時,下列觀念何者正確?
  5. 關於規定為 VGS(th) = 1.0〜2.5 V(ID = 250 µA)的MOSFET,下列何者正確?