Datasheets lezen

Hoe groot is het maximaal toegestane vermogen voor een IC met een maximale junctietemperatuur Tj(max) = 125 °C en θJA = 50 °C/W bij een omgevingstemperatuur Ta = 85 °C?

  1. A0,8 W
  2. B2,5 W
  3. C1,7 W
Antwoord en toelichting tonen

Antwoord: A. 0,8 W

De junctietemperatuur is Tj = Ta + P × θJA. Opgelost naar P geeft dat P = (Tj(max) − Ta)/θJA = (125 − 85)/50 = 0,8 W. Hoe hoger de omgevingstemperatuur, hoe kleiner de toegestane temperatuurstijging en dus ook het toegestane vermogen. 2,5 W is de fout waarbij vergeten is de omgevingstemperatuur af te trekken (125/50), 1,7 W de fout 85/50. In de praktijk ontwerp je, rekening houdend met het feit dat θJA van de printplaat afhangt en met marge voor derating, op een lager vermogen dan de berekende waarde.

Seriemodel van thermische weerstanden Met koellichaam Tj Tc Ts Ta θJC θCS θSA Junctie Behuizing Koellichaam Omgeving Warmtestroom P (vermogen) speelt de rol van stroom Tj = Ta + P × (θJC + θCS + θSA) Schatting met alleen θJA Tj Ta θJA Tj = Ta + P × θJA θJA is gemeten op een testprint en hangt af van de montage
Seriemodel van thermische weerstanden · Bekijken in het figurenoverzicht
Dit onderwerp oefenen Naar de onderwerppagina

Meer vragen over Datasheets lezen

  1. Welke combinatie gebruik je als thermische weerstand van junctie tot omgeving bij het schatten van de junctietemperatuur van een vermogenscomponent met koellichaam?
  2. Hoe gebruik je de in de datasheet vermelde ψJT (thermische karakteriseringsparameter junctie–bovenkant behuizing) correct?
  3. Een behuizing heeft een toegestane dissipatie van 1,0 W tot een omgevingstemperatuur van 25 °C; daarboven neemt die lineair af tot 0 W bij 150 °C. Hoe groot is de toegestane dissipatie bij een omgevingstemperatuur van 75 °C?
  4. Een silicium-vermogens-MOSFET heeft volgens de datasheet RDS(on) = 10 mΩ (Tj = 25 °C, VGS = 10 V). Welke benadering is juist bij gebruik rond Tj = 125 °C?
  5. Wat is juist over een MOSFET met een gespecificeerde VGS(th) = 1,0 tot 2,5 V (ID = 250 µA)?