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關於規定為 VGS(th) = 1.0〜2.5 V（ID = 250 µA）的MOSFET，下列何者正確？
- A只要讓VGS達到VGS(th)最大值的2.5 V以上，就能得到表中規定的RDS(on)
- BVGS(th)具有溫度上升時變高的性質，因此越高溫MOSFET越難導通
- CVGS(th)是開始流過微小電流的電壓，要得到低RDS(on)需以規定條件的VGS驅動
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正確答案：C. VGS(th)是開始流過微小電流的電壓，要得到低RDS(on)需以規定條件的VGS驅動
VGS(th)是汲極電流達到250 µA這類微小值時的閘極電壓，此時還無法以低電阻流過大電流。RDS(on)是附帶 VGS = 10 V 或 4.5 V 等條件來規定的，因此要確認是否有在實際可驅動的電壓下規定RDS(on)。若要以3.3 V的微控制器直接驅動，應選擇以 VGS = 2.5 V 等條件規定的邏輯位準產品。VGS(th)會隨溫度上升而下降，因此高溫時反而更容易導通。