Hexagonale kristalstructuur van onder meer GaN en ZnO. Afhankelijk van de kristalrichting ontstaat polarisatie, en het tweedimensionale elektronengas van een GaN-HEMT wordt door deze polarisatie gevormd.
Japanse benaming: ウルツ鉱型構造
“Wurtzietstructuur” komt voor in 1 oefenvragen uit 1 onderwerpen, bijv. Verbindingshalfgeleiders.
Vakgebied: Verbindingshalfgeleiders
Antwoord: A. Wurtzietstructuur (hexagonaal)
GaN heeft gewoonlijk de hexagonale wurtzietstructuur. Deze structuur mist symmetrie in de richting van de c-as en bestaat uit afwisselende Ga- en N-vlakken, zodat het kristal polair is en spontane polarisatie en door spanning veroorzaakte piëzo-elektrische polarisatie optreden. Dit verklaart het ontstaan van een tweedimensionaal elektronengas met hoge dichtheid aan het AlGaN/GaN-grensvlak, maar in de kwantumputten van LED's scheidt het polarisatieveld elektronen en gaten en verlaagt het zo de efficiëntie. GaAs en vergelijkbare materialen hebben de kubische zinkblendestructuur.
GaN heeft gewoonlijk de hexagonale wurtzietstructuur.
Wat is de typische kristalstructuur van GaN?GaN (galliumnitride) Tweedimensionaal elektronengas (2DEG) GaAs (galliumarsenide) Directe bandovergang (direct bandgap) Efficiency droop Ga2O3 (galliumoxide) Halfgeleider met brede bandgap (wide-bandgap) HEMT (high electron mobility transistor) III-V-verbindingshalfgeleider InP (indiumfosfide)